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华为哈勃持股,光芯片细分龙头上市!
1、源杰科技的业务结构稳定，不依赖少数客户或供应商，拥有分散的股权结构，华为哈勃投资持股36%，成为其第八大股东。在面临国内外竞争加剧的背景下，源杰科技展现出了向高端光芯片领域冲刺的决心和实力。
2、华为在2019年突破了任正非的「三不原则」，成立了专注于投资的华为哈勃，旨在应对制裁挑战。自那时起，哈勃投资在半导体领域展现了显著影响力。截至2022年，华为旗下哈勃投资已经助力7家半导体公司成功上市，包括思瑞浦、灿勤科技、天岳先进、东芯半导体、炬光科技、东微半导和长光华芯。
3、华为的扶持举措下，华为哈勃投资催生了七家半导体上市公司，其中包括思瑞浦、灿勤科技、天岳先进等。2019年，华为打破既定原则，投资思瑞浦并引发行业震动。华为的订单和投资双管齐下，推动这些企业实现了显著的增长。以思瑞浦为例，华为的投资使其收入从亏损转为盈利，助推其在科创板上市，市值翻了数十倍。
什么是第三代半导体?包你能看懂
半导体第三代是指：禁带宽度大于2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带为代表的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显著。
③第三代半导体材料： 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是5G时代的主要材料。 起源时间： M国早在1993年就已经研制出第一支氮化镓的材料和器件。而我国最早的研究队伍——中国科学院半导体研究所，在1995年也起步了该方面的研究。
第三代半导体是以碳化硅（SiC） 、氮化镓（GaN） 为主的半导体材料，与第一代、第二代半导体材料（SI、CaAs）不同，第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、抗辐射等诸多优势特性，在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。
首先，解释一下三代半导体的区别：第一代是硅（Si），第二代是砷化镓（GaAs），而第三代或称宽带隙半导体，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。宽带隙半导体的“带隙”是指半导体从绝缘变为导电所需的最低能量差异。
集成芯片的分类
集成电路芯片主要分为以下几类：按照功能，有数字集成电路用于数字信号处理、计算，如微处理器、逻辑门电路；模拟集成电路用于处理连续变化信号，如放大器、滤波器；混合集成电路结合数字与模拟特性，常见于通信、数据转换领域。
集成电路的芯片种类繁多，大致可以如下分类。根据晶体管工作方式分为两大类，数字芯片和模拟芯片，数字芯片主要用于计算机和逻辑控制领域，模拟电路主要用于小信号放大处理领域。根据工艺分两大类，双极芯片和CMOS芯片。根据规模分超大规模，大规模，中规模，小规模几类。
根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：小型集成电路，逻辑门10个以下或晶体管100个以下。中型集成电路，逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。大规模集成电路，逻辑门101~1k个或晶体管1，001~10k个。
主板集成芯片是指电脑主板主板所整合了显卡，声卡或者网卡的芯片。电脑市场上很多主板都集成很多其他部件：显卡、声卡、网卡等。大家在选购集成主板产品的时候主要应该考虑使用者自身的需求，同时还应该注意：这些集成控制芯片在性能上略逊于同类中高端的板卡产品，如果有特殊需求的话要选购相对应的板卡来提高性能。
IC芯片，即集成电路，是将大量的微电子元件，如晶体管、电阻、电容等，集成在一块塑料基片上的微型电子器件。目前，我们常见的各种芯片都可以统称为IC芯片。
薄膜铌酸锂:新一代高速光模块材料,产业格局梳理
在下游应用端，新易盛和华工科技等行业领军企业已经开始将薄膜铌酸锂调制器技术应用到800G光模块的开发中。新易盛的800G O***P DR8光模块展示了薄膜铌酸锂技术的潜力，而华工科技则在多元化材料布局中，积极拥抱铌酸锂这一新兴材料。
面对光通信领域对高速光模块的强劲需求，国产化替代趋势为国内厂商提供了机遇，薄膜铌酸锂材料在这一浪潮中扮演着重要角色，预示着我国光通信核心芯片国产化的潜力和前景。
然而，高端核心芯片领域，如铌酸锂调制器，我国仍需进口依赖，薄膜铌酸锂技术的推广将有望改变这一局面。随着技术进步，薄膜铌酸锂已应用于800G光模块，并展现出低功耗和高性能。
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